Fincommp.ru Во время проведения Samsung Foundry Forum были представлены две технологические нормы, получившие наименования SF2Z и SF4U. Между собой они отличаются использованием разного типа транзисторов, а именно GAAFET в случае SF2Z и FinFET в случае SF4U.
2-нм техпроцесс SF2Z получит поддержку технологии подачи питания с обратной стороны (BSPDN), благодаря которой можно устранить узкие места, увеличить производительность, плотность размещения транзисторов и значительно снизить падение напряжения, что будет очень полезным при создании процессоров для ускорителей высокопроизводительных вычислений. 4-нм техпроцесс SF4U, в свою очередь, сможет предложить улучшение соотношения плотности/производительности/площади за счет оптической усадки.
Samsung предпочитает не делиться более подробными значениями, а также прямыми сравнениями новых технологический норм с уже доступными. Компания подтвердила, что массовое применение SF2Z ожидается в 2027 году, а SF4U придется подождать до следующего года.